真空镀碳仪型号:JE3-TZ-1000C

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详细说明

真空镀碳仪型号:JE3-TZ-1000C真空镀碳仪型号:JE3-TZ-1000C

注明：桌面型蒸镀碳层，减少因样品镀层对X射线能量谱仪做元素析时的能量损失，可以蒸发碳绳和蒸发碳棒两种方式。

技术规格说明

样品仓尺寸：φ150mmX110mm

蒸发面积：约Φ140mm

高真空度：≤4×10-2mbar

工作电压：220V,50HZ

蒸发输出：电压30V

蒸发靶材：碳棒、碳绳

蒸发大电流：约100A

理想膜层的特点

1.良好的导热和导电性能。

2.不管样品的表面形貌如何，覆盖在所有部位的膜层需要薄厚均匀。

3.膜层对样品的化学成干扰很小，对从样品中发射的X射线强度影响很弱。

4.这层膜主要增加样品表面的导电性能和导热性能，相较于导电金属膜层的厚度普遍在10nm以；可提供碳的镀层，在3-4nm辨率尺度内不显示其几何形貌特点，避免引入不必要的人为图像，镀层精细均匀，适合非常粗糙的样品，高辨研究。

5.可以喷碳（碳棒或碳绳），有利于对样品中非碳元素的能谱析。

6.非导电样品观察背散射电子图像，进行EBD析，也应该喷碳处理。

主要用于扫描电镜 ED 样品镀导电膜，仪器操作简单方便，是配合EM 制样的仪器。