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高频光电导少数载流子寿命测试仪 LT-1
  • 产品名称:高频光电导少数载流子寿命测试仪 LT-1
  • 产品型号:LT-1
  • 所属类别:专用仪器仪表 > 其他专用仪器仪表
  • 发布时间:2025-04-07
  • 已获点击:18
  • 测量范围:5~10000μs
详细说明

高频光电导少数载流子寿命测试仪(单晶少子寿命测试仪)原型号LT-1C 型号:LT-1 库号:D220754

高频光电导少数载流子寿命测试仪(单晶少子寿命测试仪)原型号LT-1C 型号:LT-1 库号:D220754

高频光电导少数载流子寿命测试仪(单晶少子寿命测试仪)原型号LT-1C 型号:LT-1 库号:D220754

高频光电导少数载流子寿命测试仪(单晶少子寿命测试仪)原型号LT-1C 型号:LT-1 库号:D220754

1、概述

LT-1高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料组织SEMI标准(F28-75)及标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法,适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,硅单晶寿命测量ρ≥2Ω·cm,由于对样块体形无严格要求,因此应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。

2、参数

(1)寿命测试范围:5~10000μs;电阻率测量范围:ρ≥2Ω·cm

测电子级参杂硅单晶片(厚度小于1mm),电阻率范围:ρ>0.1Ω·cm(表面可能需要抛光处理)

测量重复性≤±20%

(2)光脉冲发生装置

重复频率>20~30次/s,光脉冲关断时间:0.2~1μs,余辉<1μs

红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶),红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源

脉冲电源:~20A

(3)高频源

高频振荡源:石英谐振器;频率:30MHz;低输出阻抗,输出功率>1W

(4) 放大器和检波器

放大倍数约25倍,频宽:2Hz~2MHz

(5)仪器配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶,亦可测竖放单晶横载面的寿命

可测单晶尺寸:

断面竖测:直径25~150,厚度2mm~500mm

纵向卧测:直径5mm~150mm,长度50mm~800mm

(6)读数方式:可选配载流子寿命专用测试软件系统或专用数字示波器读数,软件系统测试操作简单,点击“测量”即可,自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库,可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。

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