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库号:D301889
该仪器为了能直接读取寿命值编写了软件存入数字存储示波器,这些软件依照少子寿命测量的基本原理编写,同时采用了标准(MF28及MF1535)中推荐的几种读数方法。
该仪器扩大了晶体少子寿命可测范围,除配置了波长为1.07μm的红外发光管外,增加配备了波长为0.904~0.905μm光强的红外激光器,减小了光源的余辉,使晶体(研磨面)可测电阻率低至0.3Ω·cm,寿命可测下限延至0.25μs。
LT-100C型寿命仪配有两种光源电极台,一种波长为1.07μm,适合于测量硅单晶块或棒的体寿命;另一种波长为0.904~0.905μm,适合于测量切割或研磨太阳能硅片的相对寿命,与微波反射法测量条件相近,因此测量值也较接近
参数
(1)仪器测量范围:
少子寿命测量范围:0.25μS~10ms;晶体样品(研磨面)电阻率下限≥0.3Ω·cm,尚未发现电阻率测量上限。
型号:N型或P型单晶或铸造多晶。
(2)光脉冲发生装置
重复频率>15次/S 脉宽≥10μs
红外光源长波长:1.06~1.08μm 脉冲电流:~16A
红外光源短波长:0.904~0.905μm 脉冲电流:~16A
(3)高频源
频率:30MHZ 低输出阻抗 输出功率>1W
(4)放大器和检波器
频率响应:2HZ~2MHZ
放大倍数:30倍(约)
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